摘要：非易失性半导体存储器：写入一次，保存永久 随着信息时代的到来，数据的处理、保存和传输变得越来越常见。人们对数据存储器的要求也越来越高，数据存储器的存储数据的容量、永久性
非易失性半导体存储器：写入一次，保存永久
随着信息时代的到来，数据的处理、保存和传输变得越来越常见。人们对数据存储器的要求也越来越高，数据存储器的存储数据的容量、永久性、读写速度以及稳定性等指标都成为了消费者选购产品时挑选的重要因素。非易失性半导体存储器是一种新型的存储器产品，它的特点是可以永久性地保存数据。
一、EEPROM：先进先出，写入次数有限
EEPROM是一种常见的非易失性半导体存储器。EEPROM，全名为ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，它可以被电子清除和写入，读取的速度十分快速。
EEPROM中的数据是按照先进先出的原则进行读取，其最大的特点就是可以反复写入，数据存储的次数不受限制，同时还可以对存储器中的数据进行单字节的修改，因此在某些应用场合下使用EEPROM是非常方便的。但是，EEPROM也有缺点，它每次写入数据都需要耗费很长时间，并且总共只能写入约10万次，因此使用EEPROM存储器时需要注意不能频繁写入数据。
二、NVRAM：超高速，无法擦除
NVRAM，全名为Non-VolatileRandomAccessMemory，是一种具有超高速读写速度的存储器，被广泛应用于一些高速的场合，如雷达、通讯等领域。
NVRAM的存储方式和EEPROM有所不同，它无法进行擦除操作，将数据写入存储器之后，数据会一直保存在存储器中，数据存储的稳定性和随机读写速度也是NVRAM的重要优势。在存储容量、读取速度以及存储稳定性等方面，NVRAM的性能均优于EEPROM。但是受制于工艺限制，NVRAM只适用于小容量的数据存储，数据存储的可靠性也不如EEPROM。
三、FRAM：容易损坏，高稳定性
FRAM，全名为FerroelectricRandomAccessMemory，是一种将非易失性的铁电存储器和易失性的随机存储器结合起来的存储器。
FRAM的存储原理与EEPROM和NVRAM不同，它采用铁电材料，这种材料具有非常良好的稳定性，并且在数据读写时速度也非常快。但是FRAM的高稳定性也意味着它更容易受到电磁干扰而损坏。此外，由于FRAM的技术和制造难度比较大，因此FRAM的成本也比EEPROM和NVRAM要高出很多。
总的来说，无论是EEPROM、NVRAM还是FRAM，都是一种非常有用的非易失性半导体存储器。不同的存储器卡通常都会采用不同的存储方案，以满足消费者的不同需求。
